填空题干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。
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1.判断题扩散只用于浅结的制备
3.单项选择题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）
A. 离子注入
B. 热扩散
4.单项选择题
二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）
①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数
②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数
③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度
④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
5.单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
A.干氧
B.湿氧
C.水汽氧化
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