单项选择题超声波入射声压为PO,大平面产生的反射波声压PF与芯片面积AS成正比,与距离()。
A.成反比
B.无关
C.二次方成正比
D.二次方成反比
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1.单项选择题超声波入射声压为PO,园平面小缺陷的反射角声压PF与缺陷面积S成正比,与缺陷距离X()。
A.成反比
B.无关
C.二次方成反比
D.二次方成正比
2.单项选择题在超声探伤中,传播超声波的介质内,近场区是指()探头,声压无规律变化的区域。
A.远离
B.邻近
C.有规律
3.单项选择题在超声探伤,传播超声波的介质内,远场区是指()探头,声压有规律变化的区域。
A.远离
B.邻近
C.无规律
4.单项选择题邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。
A.扩散
B.增大
C.不变
D.减小
5.单项选择题缺陷当量是指()的大小。
A.缺陷真实
B.相当于人工缺陷
C.探头移动距离
6.单项选择题单探头法探测与波束轴线()缺陷最易发现。
A.平行的
B.垂直的
C.倾斜的
7.单项选择题在远场区,同声程的横孔,直径从2mm增大到在8mm,回波声压提高()。
A.4倍
B.6dB
C.12dB
D.9dB
8.单项选择题在远场区,同声程横孔,直径增大1倍,则声压增大()。
A.3dB
B.6dB
C.9dB
D.12dB
9.单项选择题在射线透照探伤中,底片黑度值可用()测定。
A.透度计
B.黑度计
C.黑度片
D.增感屏
10.单项选择题用IIW试块测定的斜探头的折射角度,在探测任何声束的试件时,比值()。
A.不变
B.变化
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