以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

问答题以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

参考答案：

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1.问答题画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

参考答案：

2.问答题证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即E_Fn>E_F。

参考答案：

3.填空题（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

参考答案：

迁移率；扩散系数；；爱因斯坦

4.填空题当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。

参考答案：扩散；漂移

5.填空题半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

参考答案：电离杂质散射；晶格振动散射；电离施主或电离受主形成的库伦势场；温度高

6.填空题纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。

参考答案：电子；施主；N

7.问答题 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

参考答案：少子反型

8.问答题 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

画出对应的电荷分布图。

参考答案：

9.问答题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

参考答案：形成电子阻挡层。

10.问答题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。

参考答案：