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填空题半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

参考答案： [100]；间接带隙

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1.填空题两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

参考答案：正；相等

2.填空题半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）（即量子态按能量如何分布）和（）（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。

参考答案：状态密度；费米分布函数

3.问答题试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。

参考答案：

4.问答题假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

参考答案：

5.问答题 证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为

参考答案：

证明：对于非简并的非均匀半导体

6.问答题光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×10²¹cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。

参考答案：

7.问答题间接复合效应与陷阱效应有何异同？

参考答案：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应，Et的存在可能大大促进...

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8.问答题导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。

参考答案：

9.问答题 证明非平衡载流子的寿命满足，并说明式中各项的物理意义。

参考答案：

10.问答题平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同？

参考答案：平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩散长度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于...

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