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填空题受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。

参考答案： 空穴；电子；电子和空穴

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1.填空题半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

参考答案：电离杂质的散射；晶格振动的散射

2.填空题通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

参考答案：玻尔兹曼分布；费米分布

3.填空题在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为（），高于费米能级2kT能级处的占据概率为（）。

参考答案：1/2；1/1+exp（2）

4.填空题半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

参考答案：[100]；间接带隙

5.填空题两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

参考答案：正；相等

6.填空题半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）（即量子态按能量如何分布）和（）（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。

参考答案：状态密度；费米分布函数

7.问答题试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。

参考答案：

8.问答题假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

参考答案：

9.问答题 证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为

参考答案：

证明：对于非简并的非均匀半导体

10.问答题光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×10²¹cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。

参考答案：