砷化稼的能带结构是（）能隙结构。

单项选择题砷化稼的能带结构是（）能隙结构。

A. 直接
B. 间接

1.单项选择题空穴是（）。

A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子

2.填空题受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。

3.填空题半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

4.填空题通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

5.填空题在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为（），高于费米能级2kT能级处的占据概率为（）。

6.填空题半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

7.填空题两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

8.填空题半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）（即量子态按能量如何分布）和（）（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。

9.问答题试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。

10.问答题假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。