问答题简述平面生长→胞状生长→树枝晶生长演变过程。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题简述合金固溶体凝固时的晶体生长形态。
2.问答题简述“外生生长”与“内生生长”的概念。
3.问答题简述成分过冷的单相合金四种宏观生长方式。
5.问答题简述影响成分过冷的因素。
8.问答题成分过冷条件有哪些?
9.名词解释溶质再分配
10.名词解释光滑界面(小晶面)
最新试题
设在液相没有对流只有扩散的情况下,δN趋于无穷大,结晶温度间隔越大,“成分过冷”的倾向越大则()。
题型:单项选择题
单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体,根据单晶成分和晶体特征分类,P型半导体属于哪一类?()
题型:单项选择题
以下哪点不属于获得高冷速的基本技术原则?()
题型:单项选择题
()不是热型连续铸造法的基本凝固方式。
题型:单项选择题
界面稳定性的动力学理论的主要研究不包括()。
题型:单项选择题
在普通模铸造法中二次冷却指的是()。
题型:单项选择题
水雾化法的主要缺点有()。
题型:单项选择题
以下哪点不属于快速凝固技术材料微观组织的典型特征?()
题型:单项选择题
以下()不属于与型壁发生接触的连续铸造法。
题型:单项选择题
以下不属于成分过冷理论局限的是()。
题型:单项选择题