A.细化晶粒
B.非晶态形成
C.低点缺陷密度
D.产生亚稳相
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.可以方便观察晶体生长过程
B.可以避免晶体在坩埚壁上寄生形核
C.晶体直径可控
D.籽晶可以采用多晶
A.有共晶出现的晶体
B.晶体和熔体成分相同
C.有第二相出现的晶体
D.晶体和熔体成分不同
A.没有说明界面形态改变的机制
B.无法描述固液界面上局部曲率变化所引起的系统自由能变化
C.凝固组织主要受到固/液界面液相侧的温度梯度和凝固速度影响
D.平衡热力学应用到非平衡动力学过程中,具有很大的近似性
A.发热剂法
B.离心铸造法
C.液态金属冷却法
D.功率降低法
A.难熔元素含量高
B.组织更细小
C.消除了横向晶界
D.析出相含量少
A.金属-非金属共晶,由于小晶面相长大具有强烈的方向性易发生弯曲和分枝,所得到的属于“不规则共晶”,因而不可能发生两相协同共生生长
B.金属-非金属共晶及非金属-非金属共晶,所得到的均属于“不规则共晶”
C.第三组元(K0<1)存在时,若对层片状共晶两相前沿均形成较大成分过冷时,形成胞状共晶,成分过冷进一步增大可形成树枝状共晶组织
D.金属-金属相共晶及金属-金属间化合物共晶,为“规则共晶”
A.共晶成分的合金,一定可以得到100%的共晶组织
B.非共晶成分的合金也可以得到100%的共晶组织
C.共晶成分的合金,液可能得不到100%的共晶组织
A.双
B.单
C.三
D.多
A.越小
B.越大
C.不变
D.先变小后变大
A.负值,0
B.负值,正值
C.正值,0
D.正值,正值
最新试题
二元合金在进行共晶反应时为()相平衡共存。
对于真空吸铸,下面哪种说法是正确的?()
纯金属结晶时,晶核呈平面状长大的条件是()。
单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体,根据单晶成分和晶体特征分类,P型半导体属于哪一类?()
以下哪点不属于快速凝固技术材料微观组织的典型特征?()
以下哪项不是单晶提拉法的优点?()
下列哪项针对气体雾化法描述是错误的?()
以下()不属于与型壁发生接触的连续铸造法。
关于不规则共晶,下面论述错误的为()。
界面稳定性的动力学理论的主要研究不包括()。