A.双
B.单
C.三
D.多
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A.越小
B.越大
C.不变
D.先变小后变大
A.负值,0
B.负值,正值
C.正值,0
D.正值,正值
A.温度场的干扰行为
B.干扰振幅和时间的依赖关系
C.浓度场的干扰行为
D.成分过冷产生的原因
A.大于
B.小于
C.大于等于
D.小于等于
A.平界面越容易破坏
B.平界面不容易破坏
C.平界面不容易形成
D.平界面越容易形成
A.dT/dx>0
B.dT/dx<0
C.dT/dx=0
D.dT/dx≠0
A.借螺位错长大
B.树枝状长大
C.垂直长大
D.二维形核长大
A.非均匀形核所需的临界形核功比均匀形核小得多
B.无形核功,晶体可在已有固相表面长大
C.实际金属结晶过程中,通常发生的是非均匀形核
D.非均匀形核的临界晶核的体积V比均匀形核的体积大得多
A.形核功;原子扩散几率因子
B.形核功因子;原子扩散几率因子
C.形核功;原子越过液固相界面的扩散激活能
D.形核功因子;原子越过液固相界面的扩散激活能
A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1
最新试题
在枝晶生长过程中,二次枝晶臂由于它们的曲率不同,会造成各枝晶臂附近液相内溶质浓度的差别,枝晶曲率半径愈小,附近液相溶质浓度()。
利用双流浇注半连续铸造装置生产梯度材料材料的基本原理是在传统的半连续铸造基础上增加()。
在均匀形核过程中,形成临界晶核时体系的自由能();过冷度越(),形核越容易。
定向凝固技术制备的单晶高温合金叶片比传统铸造的叶片蠕变性能更加优异,其主要原因是因为单晶高温合金()。
界面稳定性的动力学理论的主要研究不包括()。
单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体,根据单晶成分和晶体特征分类,P型半导体属于哪一类?()
水雾化法的主要缺点有()。
纯金属在等轴凝固的条件下,此时,由于结晶潜热的放出,在晶体生长前沿,液相内部的温度梯度为(),而在固相内的温度梯度为()。
纯金属结晶时,晶核呈平面状长大的条件是()。
结晶过程中形核数量多,长大速度慢会导致()。