单项选择题在枝晶生长过程中,二次枝晶臂由于它们的曲率不同,会造成各枝晶臂附近液相内溶质浓度的差别,枝晶曲率半径愈小,附近液相溶质浓度()。
A.越小
B.越大
C.不变
D.先变小后变大
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题纯金属在等轴凝固的条件下,此时,由于结晶潜热的放出,在晶体生长前沿,液相内部的温度梯度为(),而在固相内的温度梯度为()。
A.负值,0
B.负值,正值
C.正值,0
D.正值,正值
2.单项选择题界面稳定性的动力学理论的主要研究不包括()。
A.温度场的干扰行为
B.干扰振幅和时间的依赖关系
C.浓度场的干扰行为
D.成分过冷产生的原因
3.单项选择题在平界面凝固条件下,界面处液体内实际温度梯度应()液相熔点温度分布的梯度。
A.大于
B.小于
C.大于等于
D.小于等于
4.单项选择题设在液相没有对流只有扩散的情况下,δN趋于无穷大,结晶温度间隔越大,“成分过冷”的倾向越大则()。
A.平界面越容易破坏
B.平界面不容易破坏
C.平界面不容易形成
D.平界面越容易形成
5.单项选择题纯金属结晶时,晶核呈平面状长大的条件是()。
A.dT/dx>0
B.dT/dx<0
C.dT/dx=0
D.dT/dx≠0
6.单项选择题晶核长大的机制不包括()。
A.借螺位错长大
B.树枝状长大
C.垂直长大
D.二维形核长大
7.单项选择题关于非均匀形核,以下说法错误的是()。
A.非均匀形核所需的临界形核功比均匀形核小得多
B.无形核功,晶体可在已有固相表面长大
C.实际金属结晶过程中,通常发生的是非均匀形核
D.非均匀形核的临界晶核的体积V比均匀形核的体积大得多
8.单项选择题在均匀形核过程中,当过冷度过小时,形核率N主要受()控制,随着过冷度增加,临界晶核半径减小;当过冷度继续增大,尽管临界晶核半径也在减小,但由于原子在较低温度下扩散变得困难,此时形核率N主要受()控制。
A.形核功;原子扩散几率因子
B.形核功因子;原子扩散几率因子
C.形核功;原子越过液固相界面的扩散激活能
D.形核功因子;原子越过液固相界面的扩散激活能
9.单项选择题均匀形核发生所需要的过冷度大概为其熔点的()倍。
A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1
10.单项选择题在均匀形核过程中,形成临界晶核时体系的自由能();过冷度越(),形核越容易。
A.增加;小
B.增加;大
C.减少;小
D.减少;大
最新试题
结晶过程中形核数量多,长大速度慢会导致()。
题型:单项选择题
晶核长大的机制不包括()。
题型:单项选择题
利用双流浇注半连续铸造装置生产梯度材料材料的基本原理是在传统的半连续铸造基础上增加()。
题型:单项选择题
水雾化法的主要缺点有()。
题型:单项选择题
以下哪种方法适用于小型铸件?()
题型:单项选择题
以下哪点不属于获得高冷速的基本技术原则?()
题型:单项选择题
纯金属在等轴凝固的条件下,此时,由于结晶潜热的放出,在晶体生长前沿,液相内部的温度梯度为(),而在固相内的温度梯度为()。
题型:单项选择题
下列哪项针对气体雾化法描述是错误的?()
题型:单项选择题
单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体,根据单晶成分和晶体特征分类,P型半导体属于哪一类?()
题型:单项选择题
下列哪个选项对金属结晶冷却现象描述是错误的?()
题型:单项选择题