A.形核功;原子扩散几率因子
B.形核功因子;原子扩散几率因子
C.形核功;原子越过液固相界面的扩散激活能
D.形核功因子;原子越过液固相界面的扩散激活能
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A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1
A.增加;小
B.增加;大
C.减少;小
D.减少;大
A.获得单晶
B.各向异性
C.晶粒粗大
D.晶粒细小
A.金属液体降温至理论结晶温度Tm开始结晶
B.金属液体温度回升至接近理论结晶温度Tm,恒温结晶
C.金属液体降温至实际结晶温度Tn开始结晶
D.结晶结束,温度再次下降
A.短程无序,长程无序
B.长程有序,短程有序
C.短程有序,长程无序
D.长程有序,短程无序
A.溶质,速度
B.溶质,温度
C.能量,温度
D.能量,溶质
A.比热容低
B.熔点低
C.熔点高
D.比热容高
A.充型速度可以准确控制,以获得最佳充型速度
B.能用气体作为合金元素,从而提高铸件强度和耐磨性
C.铸件晶粒细小、组织致密、力学性能好
D.不能避免外来夹杂物进入型内
A.隔热模铸造法
B.金属复层材料铸造法
C.砂型铸造
D.热顶铸造法
A.液态金属在高速旋转的容器的边缘上破碎、雾化
B.同时通过传导和对流的方式传热
C.整个过程可在空气中完成
D.生产效率高,适于大批量生产
最新试题
以下()不属于与型壁发生接触的连续铸造法。
以下哪种方法适用于小型铸件?()
对于真空吸铸,下面哪种说法是正确的?()
低压铸造方法适合铸造()。
以下哪点不属于快速凝固技术材料微观组织的典型特征?()
下列哪项针对气体雾化法描述是错误的?()
在枝晶生长过程中,二次枝晶臂由于它们的曲率不同,会造成各枝晶臂附近液相内溶质浓度的差别,枝晶曲率半径愈小,附近液相溶质浓度()。
在均匀形核过程中,当过冷度过小时,形核率N主要受()控制,随着过冷度增加,临界晶核半径减小;当过冷度继续增大,尽管临界晶核半径也在减小,但由于原子在较低温度下扩散变得困难,此时形核率N主要受()控制。
单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体,根据单晶成分和晶体特征分类,P型半导体属于哪一类?()
均匀形核发生所需要的过冷度大概为其熔点的()倍。