P型半导体带正电，N型半导体带负电。

判断题P型半导体带正电，N型半导体带负电。

参考答案：错

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1.判断题在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。

参考答案：对

2.判断题N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

参考答案：错

3.判断题P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

参考答案：错

4.问答题某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×10¹⁶cm^-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？

参考答案：

5.问答题设有一半导体锗组成的突变pn结，已知n区施主浓度N_D=10¹⁵/cm³，p区受主浓度N_A=10¹⁷/cm³，试求室温（300K）下该pn结的接触电势差V_D。

参考答案：

6.问答题假设Si中空穴浓度是线性分布，在4µm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

参考答案：

7.问答题试求本征硅在室温（300K）时的电导率σ_i。设电子迁移率μ_n和空穴迁移率μ_p分别为1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征载流子浓度n_i=1.5*10¹⁰/cm³。当掺入百万分之一的砷（As）后，电子迁移率降低为850cm²/Vs，设杂质全部电离，忽略少子的贡献，计算其电导率σ，并与本征电导率σ_i作比较。（硅的原子密度为5*10²²/cm³

参考答案：

8.问答题室温（300K）下，半导体锗（Ge）的本征电阻率为47Ωcm，已知其电子迁移率μ_n和空穴迁移率μ_p分别为3600cm²/Vs和1700cm²/Vs，试求半导体锗的本征载流子浓度n_i。若掺入百万分之一的磷（P）后，计算室温下电子浓度n₀和空穴浓度p₀和电阻率ρ。（假定迁移率不随掺杂而变化，杂质全部电离并忽略少子的贡献，锗的原子密度为4.4*10²²/cm³）

参考答案：

9.问答题某掺施主杂质的非简并Si样品，试求E_F=（E_C+E_D）/2时施主的浓度。由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件

参考答案：

10.问答题 现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温（300K）下的平衡空穴浓度为p₀=2.25*10¹⁶/cm³，已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度E_g=1.12eV，本征载流子浓度n_i=1.5*10¹⁰/cm³，室温的kT
值为0.026eV。
1）计算该材料的平衡电子浓度n₀；
2）判别该材料的导电类型；
3）计算该材料的费米能级位置E_F。

参考答案：