问答题对净化间做一般性描述。
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MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
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晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
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半导体的主要特征有()()()和()。
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