硅外延生长工艺包括（）。

多项选择题硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理

1.单项选择题位错的形成原因是（）。

A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对

2.单项选择题下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）

A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构

3.单项选择题腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸

4.单项选择题说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：

A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计

5.单项选择题属于绝缘体的正确答案是（）。

A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液

6.多项选择题下列材料属于N型半导体是（）。

A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁