A.能量
B.剂量
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B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
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A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构
A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸
A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
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