属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。 

下列是晶体的是（）。 

影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。