A、夹片式
B、支承式
C、锥塞式
D、握裹式
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、夹片式
B、支承式
C、锥塞式
D、握裹式
A、95%预应力筋抗拉强度
B、90%预应力筋抗拉强度
C、85%预应力筋抗拉强度
D、80%预应力筋抗拉强度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤顶
B、预应力筋
C、锚板
D、工作夹片
A、2点
B、3点
C、5点
D、6点
A、每批检查3%,不少于5件
B、每工作班检查5%,不少于5件
C、每工作班检查3件
D、每批检查6件
A、每批检查3%,不少于5件
B、每工作班检查5%,不少于5件
C、每工作班检查3件
D、每批检查6件
A、每批检查3%,不少于5件
B、每工作班检查5%,不少于5件
C、每工作班检查3件
D、每批检查6件
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新试题
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
改良西门子法的显著特点不包括()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。