A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、断裂拉伸强度精确到0.1N/cm
B、断裂拉伸强度精确到1N/cm
C、扯断伸长率精确到1%
D、扯断伸长率精确到0.1%
A、2倍放大镜
B、4倍放大镜
C、6倍放大镜
D、8倍放大镜
A、拉力指标≥800N/50mm
B、最大拉力时伸长率指标≥40%
C、耐热性指标为70℃,2h无位移、流淌、滴落
D、低温柔性指标为-25℃,无裂纹
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰时延伸率
D、耐热性
A、拉力
B、低温柔性
C、耐热性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低温柔性
D、耐热性
A、蒸压灰砂砖
B、粉煤灰砖
C、炉渣砖
D、碳化砖
A、缺损
B、裂纹
C、弯曲
D、杂质凸出高度
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、红色
B、灰色
C、彩色
D、本色
最新试题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
PN结的基本特性是()
下列是晶体的是()。
改良西门子法的显著特点不包括()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
悬浮区熔的优点不包括()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。