A、多孔夹片锚具
B、墩头锚具
C、螺母锚具
D、挤压锚具
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、锥形锚具
B、墩头锚具
C、压花锚具
D、挤压锚具
A、施工时使用锚下控制力
B、锚下控制力比锚外控制力小
C、两者的差是锚头损失
D、锚外控制力等于油压值除预应力筋的面积
A、锚具夹持部分钢筋孔不直
B、构件较短
C、预应力筋的护套破损
D、锚环和夹头硬度不够
A、使用位移控制方式
B、双向张拉
C、超张拉回松技术
D、内固定端使用回缩量小的锚具
A、使预应力筋与结构混凝土结为一体
B、提高构件的刚度
C、限定预应力筋的位置
D、防止预应力筋的腐蚀
A、锚具变形
B、夹片位移
C、混凝土收缩
D、预应力筋回缩
A、达到95%预应力筋抗拉强度后,中心残余挠度小于垫板尺寸的1/600
B、达到90%预应力筋抗拉强度后,中心残余挠度小于垫板尺寸的1/500
C、达到120%预应力筋抗拉强度后,不得出现裂纹或破坏
D、达到110%预应力筋抗拉强度后,不得出现裂纹或破坏
A、镦头式
B、夹片式
C、压花式
D、螺母式
A、有防止腐蚀和机械损伤的措施
B、凸出式锚具的保护层厚度不小于50mm
C、外露预应力筋的保护层厚度在正常环境中不小于20mm
D、外露预应力筋的保护层厚度在腐蚀环境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截断
B、需要有防腐蚀措施
C、长度不宜小于预应力筋直径的5倍
D、不宜小于30mm
最新试题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
在通常情况下,GaN呈()型结构。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。