判断题大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
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为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
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根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。
题型:问答题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
集成电路电阻可以通过()产生。
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BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
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试述两种传输线电感,比较其优缺点。
题型:问答题
由于衬底材料的缘故会自动产生电容,这种电容称为()。
题型:单项选择题
什么是电阻率?它的单位是什么(国际标准单位制)?
题型:问答题