离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

1.判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

2.判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

3.判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

4.判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

5.判断题热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。

6.判断题硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。

7.判断题扩散运动是各向同性的。

8.判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

9.判断题掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

10.判断题CD越小，源漏结的掺杂区越深。