从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

集成电路电阻可以通过（）产生。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

什么是MOS器件的体效应？