集成电路电阻可以通过（）产生。

集成电容主要有几种结构？

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

什么是MOS器件的体效应？

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。