根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

MOS器件存在哪些二阶效应？

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

规定版图几何设计规则的意义是什么？

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。