原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

PN结的基本特性是（）

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

悬浮区熔的优点不包括（）

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

在通常情况下，GaN呈（）型结构。

如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。