最新试题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
题型:单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括()
题型:单项选择题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
题型:单项选择题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
题型:单项选择题
改良西门子法的显著特点不包括()
题型:单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
题型:单项选择题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
题型:单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
题型:单项选择题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题