最新试题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
题型:单项选择题
悬浮区熔的优点不包括()
题型:单项选择题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
题型:单项选择题
下列是晶体的是()。
题型:单项选择题
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
题型:单项选择题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
题型:单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
题型:单项选择题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
题型:单项选择题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
题型:单项选择题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题