填空题抗氧化钢中常加入的合金元素有()等,这主要是因为当这些合金元素在钢基体中的含量达到一定量时能在钢的表面形成氧化膜。
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下列是晶体的是()。
题型:单项选择题
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
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载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
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最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
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那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
题型:单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
题型:单项选择题