问答题高碳高合金钢工件淬火时极易开裂,采取什么措施可有效防止其开裂?
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表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
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悬浮区熔的优点不包括()
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影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
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在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
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在通常情况下,GaN呈()型结构。
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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
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对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
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铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
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把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
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