问答题
电路如图题所示，电源vs为正弦波电压，试绘出负载RL两端的电压波形。设二极管是理想的。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题
单管放大电路如左图所示，其交直流负载的正确画法是右图中的（）
A.A
B.B
C.C
2.单项选择题
某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q’需使（）
A.偏置电阻RB增大
B.集电极电阻RC减小
C.偏置电阻RB减小
3.单项选择题
电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
4.单项选择题
图示电路，已知晶体管
忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
A.480KΩ
B.120KΩ
C.240KΩ
D.360KΩ
5.单项选择题
放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）
A.A
B.B
C.C
D.D
6.单项选择题
如图示放大电路中接线有错误的元件是（）
A.RL
B.RB
C.C1
D.C2
7.单项选择题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
8.单项选择题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压
约为（）
A.0V
B.+2V
C.-2V
D.-1V
9.单项选择题
某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
10.单项选择题
某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在（）
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
