测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：2mA、2.02mA、0.02mA。己知该管的厄尔利电压U_A＝120V，C_be=60pF，C_bc=5pF，r_bb=200Ω。
（1）试画出该晶体管的H参数交流等效电路，确定等效电路中各参数值。
（2）画出高频混合π型交流等效电路，确定等效电路中各参数值。

放大电路如图所示。设晶体管的β=20，r_bb=0，D_Z为理想稳压管，U_Z=6V，此时晶体管的I_CQ=5.5mA。试问： 
（1）将D_Z反接，电路的工作状态有何变化？I_CQ又为多少？ 
（2）定性分析由于D_Z反接，对放大电路电压增益、输入电阻的影响。

试计算如图所示共射放大电路的静态工作点U_CEQ，源电压放大倍数，输入电阻R_i和输出电阻R_o。设基极静态电流I_BQ=20μA，R_C=2kΩ，R_L=2kΩ，U_CC=9V，R_S=150Ω，r_bb=0，厄尔利电压U_A=100V，β=100，C为隔直、耦合电容。

放大电路如图（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。
（1）如工作点变为图（b）中的Q’和Q’’，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？ 
（2）如工作点变为图（c）中的Q’和Q’’，又是电路中哪一元件参数改变而引起的？

电路如图所示。设u_i是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短路。 
（1）试画出与ui相对应的u_BE、B_i、C_i和u_CE的波形。
（2）将图中的晶体管改成PNP管，U_CC改成负电源，重复（1）。

晶体管电路如图所示。已知β＝100，U_BE＝-0.3V。
（1）估算直流工作点I_CQ、U_CEQ。 
（2）若偏置电阻R_B1、R_B2分别开路，试分别估算集电极电位U_C值，并说明各自的工作状态。 
（3）若R_B2开路时要求I_CQ＝2mA，试确定R_B1应取多大值。

如图（a）、（b）所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，U_BE（on）=0.6V。在20℃时晶体管的β=50，55℃时，β=70。试分别求两种电路在20℃时的静态工作点，以及温度升高到55℃时由于β的变化引起I_CQ的改变程度。

硅晶体管电路如图所示。设晶体管的U_BE（on）=0.7V，β=100。判别电路的工作状态。

某晶体管的共射输出特性曲线如图所示。
（1）求I_BQ=0.3mA时，Q₁、Q₂点的β值。
（2）确定该管的U_（BR）CEO和P_CM。