放大电路如图（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。（1）如工作点变为图（b）...

问答题 放大电路如图（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。
（1）如工作点变为图（b）中的Q’和Q’’，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？
（2）如工作点变为图（c）中的Q’和Q’’，又是电路中哪一元件参数改变而引起的？

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1.问答题 电路如图所示。设u_i是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短路。
（1）试画出与ui相对应的u_BE、B_i、C_i和u_CE的波形。
（2）将图中的晶体管改成PNP管，U_CC改成负电源，重复（1）。

2.问答题设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125℃范围内变化时，要求1mA≤I_c≤1.15mA和5V≤U_CE≤6V，R_C=1.5kΩ，U_CC=12V。BJT的参数是：T=55℃时，β=60，U_BE=0.88V；T=125℃时，β=150，U_BE=0.48V。

参考答案：

3.问答题 晶体管电路如图所示。已知β＝100，U_BE＝-0.3V。
（1）估算直流工作点I_CQ、U_CEQ。
（2）若偏置电阻R_B1、R_B2分别开路，试分别估算集电极电位U_C值，并说明各自的工作状态。
（3）若R_B2开路时要求I_CQ＝2mA，试确定R_B1应取多大值。

参考答案：

4.问答题 如图（a）、（b）所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，U_BE（on）=0.6V。在20℃时晶体管的β=50，55℃时，β=70。试分别求两种电路在20℃时的静态工作点，以及温度升高到55℃时由于β的变化引起I_CQ的改变程度。

参考答案：

5.问答题 硅晶体管电路如图所示。设晶体管的U_BE（on）=0.7V，β=100。判别电路的工作状态。

参考答案：

6.问答题 某晶体管的共射输出特性曲线如图所示。
（1）求I_BQ=0.3mA时，Q₁、Q₂点的β值。
（2）确定该管的U_（BR）CEO和P_CM。

参考答案：（1）Q₁点：β≈50，Q₂点：β&asym...

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7.问答题 N+PN型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如图所示，其中n_b0表示平衡时自由电子的浓度。
（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。
（2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。

参考答案：对于N+PN晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以x=0（x=x

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8.问答题 已测得晶体管电极管各电极对地电位如图所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。

参考答案：题图（a）3AX为PNP锗管，U_BE=-0.3V（正偏），U_CE=-4.7V...

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9.问答题 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如图所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。

参考答案：

10.问答题 稳压管电路如图所示。
（1）设U_i=（1±10%）V，稳压管D_Z的稳定电压U_Z=10V，允许最大稳定电流I_Zmax=30mA，I_Zmin=5mA，R_Lmin=800Ω,R_Lmin=∞。试选择限流电阻R的值。
（2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100Ω，R_L=250Ω，试求U_i允许的变化范围。
（3）稳压管的参数如（1）中所示，当U_Z=10V时，其工作电流I_Z=20mA，r_Z=12Ω，如U_i=20V不变，试求R_L从无穷大到1kΩ时，输出电压变化的值ΔU₀为多少？

参考答案：