I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足够大。...

单项选择题I=0.5mA，V_t=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V²，V_A足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则R_D=（）kΩ。
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A.10
B.15
C.12.5
D.8

1.单项选择题‌电路如图所示，如果电容C₂开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

A.不变，增大，增大
B.不变，减小，减小
C.增大，减小，不变
D.增大，不变，减小

2.单项选择题在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

A.增大，不变，减小
B.不变，增大，不变
C.不变，不变，减小
D.增大，不变，增大

3.单项选择题CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

4.单项选择题CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。‌‍‌‍‌

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

5.判断题‌MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。‌

6.判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区，若u_DS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

7.判断题MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌

8.多项选择题当V_GS=0时，能够导通的MOS管为（）

A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET

9.多项选择题‍若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。‌

A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低

10.多项选择题已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区