A.高,高
B.高,低
C.低,高
D.低,低
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A.高,高
B.高,低
C.低,高
D.低,低
A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
A.状态1:饱和区;状态2:饱和区
B.状态1:截止区;状态2:饱和区
C.状态3:变阻区;状态4:饱和区
D.状态3:饱和区;状态4:变阻区
A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1µm,W=32µm,k′n=100μA/V2,忽略沟道长度调制效应,则电阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
最新试题
CS放大器中引入源极电阻RS,其作用有()。
在使用verilog描述一个二选一的数据选择器时,使用一条语句来进行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),这条语句对应的是()。
假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。
CG放大器因其输入电阻过小,因此没什么用处。
verilog语法中,间隔符号主要包括()。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),要实现增益为15倍的放大电路,则RD=()kΩ。
CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致,因此被称为“源极跟随器”。
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
CD放大器具有较()的输入电阻和较()的输出电阻。
当VGS=0时,能够导通的MOS管为()