‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬...

单项选择题‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

1.单项选择题‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4

2.单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为u_GS（）V_t，u_DS（）u_GS-V_t。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

3.单项选择题‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层

4.判断题齐纳二极管只能用作稳压用途。

5.判断题只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。

6.多项选择题‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍（）

A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以

7.多项选择题下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象？（）‌

A.正弦信号
B.三角波信号
C.格雷码信号
D.数字图像信号

8.单项选择题为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。‍

A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴

9.单项选择题为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。‌

A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴

10.单项选择题‏在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。

A.理想二极管
B.恒压降模型
C.折线模型
D.数学模型