多项选择题在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？（）
A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.多项选择题下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象？（）
A.正弦信号
B.三角波信号
C.格雷码信号
D.数字图像信号
2.单项选择题为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。
A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴
3.单项选择题为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。
A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴
4.单项选择题在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。
A.理想二极管
B.恒压降模型
C.折线模型
D.数学模型
5.单项选择题
限幅电路如图所示，稳压对管参数为VD（on）=0.7V，VZ =7.3V，rZ=0Ω，则其设定的输出信号上下限为（）。
A.-7.3V，7.3V
B.-7.3V，8V
C.-8V，7.3V
D.-8V，8V
6.单项选择题
限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）。
A.3V，6V
B.3.7V，6.7V
C.-3V，6V
D.-3.7V，6.7V
7.单项选择题如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路，则输出信号表现为（）
A.0V
B.半波整流后的波形
C.幅度减小的波形
D.不受影响的波形
8.单项选择题一个50Hz正弦波输入全波整流器后，其输出信号的频率是（）
A.25Hz
B.50Hz
C.100Hz
D.0Hz
9.单项选择题在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来快速判断二极管工作状态的是（）
A.数学模型
B.恒压降模型
C.折线模型
D.理想二极管模型
10.单项选择题如果某个二极管外加正向电压为1.0V，那么下列哪类模型不适合用于该问题的分析？（）
A.数学模型
B.理想二极管模型
C.折线模型
D.恒压降模型
最新试题
verilogHDL中已经预先定义了的门级原型的符号有（）。
题型：多项选择题
若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。
题型：多项选择题
5.1K±5%欧姆的五环电阻的色环序列为（）。
题型：单项选择题
一块通用面包板，公共条是三•四•三分段连通型，那么这块板上最多有（）个插孔在内部是连通在一起的。
题型：单项选择题
verilog语法中，间隔符号主要包括（）。
题型：多项选择题
CD放大器的性能特征有（）。
题型：多项选择题
假设NEMOSFET已工作在饱和区，若uDS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
题型：判断题
以下哪个MOS放大器组态结构最适合用在电压信号处理系统的最后一级？（）
题型：单项选择题
CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
题型：判断题
CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。
题型：单项选择题