A.0V
B.半波整流后的波形
C.幅度减小的波形
D.不受影响的波形
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A.25Hz
B.50Hz
C.100Hz
D.0Hz
A.数学模型
B.恒压降模型
C.折线模型
D.理想二极管模型
A.数学模型
B.理想二极管模型
C.折线模型
D.恒压降模型
A.直流量
B.交流量
C.瞬时量
D.正弦量有效值的相量
固定偏置共射放大电路输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可确定集电极电阻Rc为()
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
A.正弦波
B.削底波形
C.削顶波形
D.双向失真波形
基本共射放大电路的输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可得出负载电阻的大小是()。
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示,该管的电极从左到右依次为()。
A.c、b、e
B.c、e、b
C.b、e、c
D.e、b、c
基本共射放大电路输出特性曲线及放大电路的交流、直流负载线如图所示。该电路最大不失真输出电压的幅值是()V。
A.10
B.6
C.4
D.2
在如图所示的交流通路中,输出电压可表示为()
A.A
B.B
C.C
D.D
最新试题
MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。
当VGS=0时,能够导通的MOS管为()
假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。
5.1K±5%欧姆的五环电阻的色环序列为()。
TTL或非门组成的逻辑电路如图所示,当输入为以下哪种状态时会出现冒险现象?()
verilogHDL的基本结构中通常需要进行模块范围的定义,VerilogHDL的模块范围的定义的开始和结束方式是()。
可以通过新增以下哪些类型文件添加ChipScope调试IP核?()
verilogHDL中已经预先定义了的门级原型的符号有()。
以下哪个MOS放大器组态结构最适合用在电压信号处理系统的最后一级?()
数字频率计设计中的测频计数模块共有多少个状态?()