假设NEMOSFET已工作在饱和区，若uDS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动...

判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区，若u_DS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

1.判断题MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌

2.多项选择题当V_GS=0时，能够导通的MOS管为（）

A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET

3.多项选择题‍若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。‌

A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低

4.多项选择题已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区

5.单项选择题‌已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作点电流I_D=0.5mA，则其小信号模型参数g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

6.单项选择题电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知该NMOS晶体管的V_t=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′_n=100μA/V²，忽略沟道长度调制效应，则电阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5

7.单项选择题‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

8.单项选择题‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4

9.单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为u_GS（）V_t，u_DS（）u_GS-V_t。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

10.单项选择题‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层