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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
A.状态1:饱和区;状态2:饱和区
B.状态1:截止区;状态2:饱和区
C.状态3:变阻区;状态4:饱和区
D.状态3:饱和区;状态4:变阻区
A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1µm,W=32µm,k′n=100μA/V2,忽略沟道长度调制效应,则电阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉
A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层
最新试题
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