‍CG放大器的性能描述合理的是（）。

单项选择题‍CG放大器的性能描述合理的是（）。

A.对电压信号有极好的放大作用
B.对电流信号有极好的放大作用
C.有较高的输入输出电阻
D.可用作电流跟随器

1.单项选择题以下哪个MOS放大器组态结构最适合用在电压信号处理系统的最后一级？‍（）

A.CS组态
B.源极带电阻的CS组态
C.CG组态
D.CD组态

2.单项选择题用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（）。‌

A.不太高的电压增益
B.较高的输入电阻
C.较高的输出电阻
D.较高的带宽

3.单项选择题I=0.5mA，V_t=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V²，V_A足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则R_D=（）kΩ。
‎

A.10
B.15
C.12.5
D.8

4.单项选择题‌电路如图所示，如果电容C₂开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

A.不变，增大，增大
B.不变，减小，减小
C.增大，减小，不变
D.增大，不变，减小

5.单项选择题在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

A.增大，不变，减小
B.不变，增大，不变
C.不变，不变，减小
D.增大，不变，增大

6.单项选择题CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

7.单项选择题CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。‌‍‌‍‌

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

8.判断题‌MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。‌

9.判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区，若u_DS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

10.判断题MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌