在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅...

单项选择题在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

A.增大，不变，减小
B.不变，增大，不变
C.不变，不变，减小
D.增大，不变，增大

1.单项选择题CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

2.单项选择题CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。‌‍‌‍‌

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

3.判断题‌MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。‌

4.判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区，若u_DS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

5.判断题MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌

6.多项选择题当V_GS=0时，能够导通的MOS管为（）

A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET

7.多项选择题‍若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。‌

A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低

8.多项选择题已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区

9.单项选择题‌已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作点电流I_D=0.5mA，则其小信号模型参数g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

10.单项选择题电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知该NMOS晶体管的V_t=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′_n=100μA/V²，忽略沟道长度调制效应，则电阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5