A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
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A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。
A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA/V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层
最新试题
可以通过新增以下哪些类型文件添加ChipScope调试IP核？（）
现在定义了一个1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模块的结果用表达式表示为{co，sub}=a+b+ci，其中a，b为两个加数，ci为来自低位的进位，sum为和，co为向高位的进位，如果以此1位加法器构建四位加法器，同时定义顶层模块中的端口信号和中间变量的定义：下面通过层次调用的方式进行逻辑实现中的表达式正确的是（）。
在对数字钟计时、校时模块进行仿真时，设秒信号的周期为10ns，若要观察24时制计数是否正确，那么在复位信号无效，计时使能信号有效的情况下，仿真需运行多长时间？（）
假设NEMOSFET已工作在饱和区，若uDS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（）。
TTL或非门组成的逻辑电路如图所示，当输入为以下哪种状态时会出现冒险现象？（）
CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。
CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
verilog语法中，间隔符号主要包括（）。