A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
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A.芒硝引入的Na2O/纯碱引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
C.纯碱引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.纯碱引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
A.玻璃游离体
B.玻璃形成体
C.玻璃调整体
D.玻璃中间体
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
A.注浆坯料
B.可塑坯料
C.压制坯料
D.其它
A.解凝剂
B.结合剂
C.减水剂
D.润滑剂
A、2
B、3
C、4
D、5
A、钠钙硅玻璃
B、铅硅酸盐玻璃
C、硼硅酸盐玻璃
D、磷酸盐玻璃
A、浓酸对玻璃的侵蚀能力高于稀酸。
B、大气对玻璃的侵蚀实质上是水汽、CO2、SO2等作用的总和。
C、水气比水溶液对玻璃具有更大的侵蚀性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化学稳定性高。
最新试题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
悬浮区熔的优点不包括()
下列是晶体的是()。
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。