MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。