栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。