最新试题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题