说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

规定版图几何设计规则的意义是什么？

集成电容主要有几种结构？

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。