半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

集成电路电阻可以通过（）产生。

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

什么是MOS器件的体效应？

MOS器件存在哪些二阶效应？

版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？