是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。

高分辨率；高灵敏光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准。

通过腐蚀，将光刻胶上图形完整整地转移到Si片上。

光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶。

通过光化学反应，将光刻板上的图形转移到光刻胶上。

是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术。

绝缘层上进行硅的异质外延。

蓝宝石上硅或者尖晶石的衬底上进行硅的异质外延。

在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。