在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm－3，电子迁移率为1000cm2/...

问答题在某一N型半导体电子浓度为1×10¹⁵cm^－3，电子迁移率为1000cm²/（V·s），求其电阻率。

1.问答题在一个N型锗样品中，非平衡载流子浓度是1×10¹³cm^－3，空穴寿命为100μs，计算空穴的复合率。

2.问答题光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs，试求光照突然停止20μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

3.问答题当E-E_F分别为1.5k_BT，4k_BT及10k_BT时，分别用费米分布和玻尔兹曼分布计算占据能级各能级的几率。

4.问答题已知Si中只含施主杂质N_D=1×10¹⁵cm^-3。现在40K下测得电子浓度为1×10¹²cm^-3，试估算施主杂质的电离能。

5.问答题室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m^*_e=1.08m₀和m^*_h=0.59m₀；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m^*_em₀和m^*_h=0.5m₀（m₀是自由电子质量）。在室温下，计算砷化钾的N_C，N_V和n_i（E_g=1.43eV）。

6.问答题室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m^*_e=1.08m₀和m^*_h=0.59m₀；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m^*_em₀和m^*_h=0.5m₀（m₀是自由电子质量）。在室温下，计算硅的N_C，N_V和n_i（E_g=1.1eV）。

7.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交迭时，掺有的杂质施主浓度应高于多少？

8.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。试用类氢模型求基态轨道的半径。

9.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。试用类氢模型求施主电离能。

10.问答题若锗在T=300K时，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁带宽度为E_g=0.67eV。计算在77K时的，N_C，N_V及本征载流子浓度（T=77K时，E_g=0.70eV）。